参考答案: B

详细解析:

Flash Memory是一种非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory），根据结构的不同可以分为：NOR Flash、NAND Flash。
先擦后写：由于Flash Memory的写操作只能将数据位从1写成0，而不能从0写成1，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。
操作指令：除了NOR Flash的读，Flash Memory的其他操作不能像RAM那样，直接对目标地址进行总线操作。例如执行一次写操作，它必须输入一串特殊的指令（NOR Flash ），或者完成一段时序（NAND Flash）才能将数据写入到Flash Memory中。应用程序可以直接在NOR Flash内运行，不需要再把代码读到系统RAM中运行。在NOR Flash上运行代码不需要任何的软件支持。
应用程序可以直接在NOR Flash内运行，不需要再把代码读到系统RAM中运行。在NOR Flash上运行代码不需要任何的软件支持。而Nand Flash上面的代码不能直接运行，需要通过加载的过程。
常见ROM有：
Mask ROM（掩膜ROM）：一次性由厂家写入数据的ROM，用户无法修改。
PROM（Programmable ROM，可编程ROM）：出厂时厂家没有写入数据，保留里面的内容为全0或全1，由用户来编程一次性写入数据。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦写ROM）：可以通过紫外光的照射，擦掉原先的程序，芯片可重复擦除和写入。写入时间较长。
EEPROM（电可擦除可编程ROM，也可表示为E2PROM）：通过加电擦除原编程数据，通过高压脉冲可以写入数据。
Flash ROM（闪速存储器）：断电不会丢失数据，快速读取，电可擦写可编程。